ASML 与台积电推进 High NA EUV 升级，12 英寸光掩模计划落地
ASML 与台积电 9 月 7 日发起产业合作，推动 High NA EUV 从现有 6 英寸光掩模转向 12 英寸规格，以提高设备生产率、降低芯片制造成本并减少拼接限制。
计划于 2031 年建立 12 英寸光掩模试产线，2033 年推动相关系统用于先进制程量产；台积电拟于 2030 年起将 High NA 用于先进节点大规模制造。
NRC | ASML
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