长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺
据路透社报道，中国动态随机存取存储芯片（DRAM）龙头企业长鑫存储（CXMT）正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露，该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院，目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体，同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。
在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下，中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与长江存储分别主导国内DRAM与NAND市场，本次跨界布局标志着两者业务交集增加。目前长鑫存储及相关方尚未对此公开发表回应，具体量产及商业化进程仍有待进一步观察。
来源：路透社
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